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EKSMA硒化镓(GaSe)晶體(tǐ)GaSe-10H1

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  • 品牌名称:EKSMA
  • 规格型号:GaSe-10H1
产品介绍

用(yòng)于产生太赫兹THz的GaSe(硒化镓)晶體(tǐ)显示出高达41 THz的大带宽。GaSe是负单轴层状半导體(tǐ),具有(yǒu)62 m点组的六边形结构,在300 K时的直接带隙為(wèi)2.2eV。GaSe晶體(tǐ)具有(yǒu)高损伤阈值,较大的非線(xiàn)性光學(xué)系数(54 pm / V),合适的透明范围和低吸收系数,这使其成為(wèi)宽带中红外電(diàn)磁波产生的替代解决方案。由于使用(yòng)低于20 fs的激光源产生和检测宽带太赫兹,因此与使用(yòng)薄的ZnTe晶體(tǐ)相比,GaSe发射器-探测器系统的性能(néng)可(kě)达到相当甚至更好的结果。為(wèi)了实现频率选择性太赫兹波的产生和检测系统,应使用(yòng)适当厚度的GaSe晶體(tǐ)。

产品参数

GaSe晶體(tǐ)

Z切割,开裂,未镀膜

尺寸:直径7 mm

厚度:0.01 mm

由于材料结构的原因,可(kě)能(néng)仅沿(001)平面切割GaSe晶體(tǐ)

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