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产品介绍
每个检测器具有(yǒu)100mm2的有(yǒu)源面积和用(yòng)于在12nm和18nm之间进行检测的直接沉积的薄膜滤波器。两种探测器在13.5nm处都具有(yǒu)0.09A/W的典型响应度，并且针对不同的電(diàn)性能(néng)进行了优化。光電(diàn)二极管非常适合用(yòng)于激光功率监测、半导體(tǐ)光刻和利用(yòng)极紫外光的计量系统等应用(yòng)。SXUV100TF135针对更高速的反向偏置電(diàn)压操作进行了优化。该器件具有(yǒu)低電(diàn)容，通常為(wèi)260pF，反向偏置電(diàn)压為(wèi)12伏。
性能(néng)特点
- 单个有(yǒu)效區(qū)域
- 检测到1 nm
- 暴露于EUV/UV条件后的稳定响应
- 保护盖板
技术参数
产地：法國(guó)
击穿電(diàn)压：25 V
配置：单个
模块：否
包装：陶瓷
包装类型：陶瓷
光電(diàn)探测器类型：PN
操作模式：光電(diàn)导
波長(cháng)范围：18至80 nm
响应时间：20 ns
反向電(diàn)压：25 V
光谱带：紫外線(xiàn)
電(diàn)容：220至350 pF
暗電(diàn)流：8至25 nA
响应性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有(yǒu)效面积：100 mm2（10 mm x 10 mm）
工作温度：-10至40℃
储存温度：-10至40℃
产品应用(yòng)
激光功率监测
半导體(tǐ)光刻
计量系统
产品参数
